2020 碳化硅半导体论坛

来源:商会自媒体发布者:1 发布日期:2020-10-28 09:05

活动时间及地点

活动时间:2020-11-17 08:00  ~ 2020-11-20 18:00
活动地点:上海市普陀区上海跨国采购会展中心 活动费用:收费活动

活动介绍

活动内容:

碳化硅,作为第三代宽禁带半导体的代表,拥有远超传统硅基半导体的优异性能,可广泛应用于移动通信,智能电网,新能源汽车以及光伏,照明等领域。随着物联网,大数据和 人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对质量与性能的要求 也更加严苛。碳化硅作为技术较为成熟的宽禁带半导体该如何立足当下,与时俱进?在国 内碳化硅产业发展落后于欧美国家的情况下,该如何打破技术封锁,突破技术难点?如何 抓住机遇与迎接挑战,完成碳化硅产业链的国产化?以及碳化硅器件未来发展的趋势又如何?

Carbontech 2020 碳化硅论坛将针对新时代下碳化硅半导体行业如何创新突破,从解决晶 圆制造工艺设备、产业发展趋势,功率器件的设计与优化等方向出发,旨在为碳化硅产业 提供优质的解决方案,促进产业发展。

会议日程:

重点话题

市场及政策

1、全球半导体产业的新变局新形势

2.、宽禁带半导体材料的标准化

3.、SiC 半导体材料、器件市场

衬底

1、高纯半绝缘行碳化硅衬底片制备及加工技术

2、4 寸、6 寸 SiC 晶圆国产化及更大尺寸衬底制备技术

3、SiC 单晶加工设备的研究和发展现状

4、SiC PVT 长晶技术&HTCVD 法的现状和发展

5、碳化硅单晶材料缺陷密度的控制技术,生产高质量单晶衬底

外延片

1、SiC 外延片生长、生产方法

2、6 英寸及以上碳化硅单晶衬底上生长高均匀性外延材料的研究

3、外延材料加工设备的自主研发进程

4、关于碳化硅衬底上生长 GaN/金刚石技术的研究

晶圆制造

1、先进制造技术的研究进展,eg: 光刻,薄膜沉积,离子注入等

2、国产制造设备及材料的研究进展。eg: 光刻设备等

功率器件

1、SiC MOSFET 器件技术方面的最新研究进展

2、SiC芯片制造工艺设备的研发进展

3、SiC 功率器件的封装测试技术及设备的发展进程

4、碳化硅功率器件设计及集成技术

应用方向

1、5G+碳化硅半导体应用方向及趋势

2、碳化硅在新能源汽车领域应用技术路线和发展前景

3、碳化硅器件在轨道交通领域的应用

4、SiC 器件在太阳能光伏领域的应用

联系方式:

王侨婷(国内):13649160039

胡建侠(国内):15988667525

Luna(International):18657495805

Bella(International)13738422830

报名人员名单

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1**2020-11-09

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